Создан конкурент флэш-памяти и жестких дисков

Флэш-памяти и накопителям на жестких дисках брошен очередной вызов. На роль конкурента существующих на сегодня решений претендует новая технология памяти, разработанная группой компаний под руководством IBM и получившая название памяти с изменением фазового состояния (phase-change memory). Созданный учеными прототип работает в 500 раз быстрее современной флэш-памяти и при этом потребляет в два раза меньше электроэнергии в процессе записи данных. В большой степени прогресса удалось добиться за счет применения нового материала на основе германиевого сплава. Для улучшения его свойств он легируется другими элементами. При размерах всего лишь 3x20 нм ячейки памяти нового типа гораздо компактнее, чем элементы флэш-памяти. Правда, переход к технологиям производства, которые позволят выпускать память с изменением фазового состояния, ожидается лишь около 2015 года. Подобно флэш-памяти, новая является энергонезависимой, но способна лучше удерживать электрический заряд и лишена ограничения на количество циклов записи-стирания. Помимо IBM в состав группы входят фирма Qimonda, отделившаяся от Infineon Technologies, и тайваньская компания Macronix International.